图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:100 |
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最小起订量:50 英国伦敦 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:500 |
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最小起订量:50 英国伦敦 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:4770 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
 MCH3383 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 12V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 69 mOhm @ 1.5A, 2.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | - |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 6.2nC @ 2.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1010pF @ 6V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 3-SMD, Flat Leads |
| 供应商器件封装 | 3-MCPH |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate, 0.9V Drive |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3.5A (Ta) |
| 封装/外壳 | 3-SMD, Flat Leads |
| 供应商设备封装 | 3-MCPH |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 69 mOhm @ 1.5A, 2.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 12V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1010pF @ 6V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 6.2nC @ 2.5V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 5 V |
| 连续漏极电流 | 3.5 A |
| RDS（ON） | 69 mOhms |
| 功率耗散 | 1 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 12 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 12V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1010pF @ 6V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 69 mOhm @ 1.5A, 2.5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 6.2nC @ 2.5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate, 0.9V Drive |
| FET 类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 封装/外壳 | 3-SMD, Flat Leads |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 高度 | 0.85mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 2mm |
| 典型输入电容值@Vds | 1010 pF @ -6 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 500 mΩ |
| 通道类型 | P |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大栅阈值电压 | 0.8V |
| 最低工作温度 | -5 °C |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 最大栅源电压 | ±5 V |
| 宽度 | 1.6mm |
| 尺寸 | 2 x 1.6 x 0.85mm |
| 最大漏源电压 | 12 V |
| 典型接通延迟时间 | 9.9 ns |
| 典型关断延迟时间 | 109 ns |
| 封装类型 | MCHP |
| 最大连续漏极电流 | 3.5 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.2 nC @ -2.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 5 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 12 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 系列 | MCH3383 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | - 3.5 A |
| 通道数 | 1 Channel |
| 技术 | Si |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 69 mOhms |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
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